[发明专利]一种MOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种MOS晶体管及其制作方法。该方法包括：a）在半导体衬底中形成L形的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁的一条边在所述半导体衬底中分别水平地沿相反的方向延伸，所述第一侧壁和所述第二侧壁的另一条边在所述半导体衬底中竖直地向下延伸，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁不接触所述半导体衬底的表面；b）在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的中间区域的正上方上形成栅极；以及c）在所述第一侧壁和所述第二侧壁的外侧的所述半导体衬底中分别形成源极和漏极。本发明的方法通过形成L型的第一侧壁和第二侧壁可以将源极和漏极隔离，以防止源漏极穿通泄露并抑制短沟道效应。

主权项

1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：a)在半导体衬底中形成L形的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁的一条边在所述半导体衬底中分别水平地沿相反的方向延伸，所述第一侧壁和所述第二侧壁的另一条边在所述半导体衬底中竖直地向下延伸，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁不接触所述半导体衬底的表面；b)在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的中间区域的正上方上形成栅极；以及c)在所述第一侧壁和所述第二侧壁的外侧的所述半导体衬底中分别形成源极和漏极，所述第一侧壁和所述第二侧壁增加所述源极和漏极之间的距离，并隔离所述源极和漏极，其中，所述a)步骤包括：提供基底；在所述基底上依次形成氧化物层和保护层；对所述保护层、所述氧化物层和所述基底进行刻蚀，以形成开口；在所述开口两侧的侧壁上分别形成侧壁氧化物层；去除所述保护层；在所述开口中形成填满所述开口的半导体材料；以及在所述基底上形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述中间区域，并且还对称地覆盖所述中间区域两侧的部分的所述氧化物层，其中由所述覆盖层覆盖的所述氧化物层和所述侧壁氧化物层一起构成所述第一侧壁和所述第二侧壁。