[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210226275.8 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN103137792A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 李景洙;李圣恩 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;H01L31/0352;H01L31/068
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;孙海龙
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及太阳能电池及其制造方法。根据本发明一种实施方式的制造太阳能电池的方法包括:制备具有第一导电类型杂质的半导体基板;将预非晶化元素离子注入到半导体基板的正面以形成非晶层;以及通过将第二导电类型杂质离子注入到半导体基板的正面形成发射层。该方法还包括用于激活第二导电类型杂质而对层的热处理。该方法还包括通过离子注入第一导电类型杂质,在半导体基板的背面处形成背面场层。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:制备具有第一导电类型杂质的半导体基板;将预非晶化元素离子注入到所述半导体基板的正面以形成非晶层;以及通过将第二导电类型杂质离子注入到所述半导体基板的所述正面形成发射层。
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