[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201210226275.8 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN103137792A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 李景洙;李圣恩 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;孙海龙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。根据本发明一种实施方式的制造太阳能电池的方法包括:制备具有第一导电类型杂质的半导体基板;将预非晶化元素离子注入到半导体基板的正面以形成非晶层;以及通过将第二导电类型杂质离子注入到半导体基板的正面形成发射层。该方法还包括用于激活第二导电类型杂质而对层的热处理。该方法还包括通过离子注入第一导电类型杂质,在半导体基板的背面处形成背面场层。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:制备具有第一导电类型杂质的半导体基板;将预非晶化元素离子注入到所述半导体基板的正面以形成非晶层;以及通过将第二导电类型杂质离子注入到所述半导体基板的所述正面形成发射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的