[发明专利]光学组件及其制造方法、光伏器件无效
申请号: | 201210226286.6 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102779900A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 王正佳;谷鋆鑫;陈捷;林卫标 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;G02B1/11 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;陈炜 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明提供一种光学组件及其制造方法,还提供一种包括所述光学组件的光伏器件。其中,所述制造方法,包括:提供基底;在所述基底上形成至少一层抗反射层;其中,形成抗反射层的步骤包括:形成带电层;在所述带电层上分散排布与所述带电层电性不同的透光材料颗粒。相应地,本发明提供一种所述制造方法所形成的光学组件。本发明提供一种光伏器件,用于将光能转换为电能,包括所述光学组件,所述光学组件中的基底为透明基底;太阳能电池,位于所述透明基底远离光的一侧。本发明可以提高抗反射光学组件结构的可控性以及制造方法的工艺可控性。 | ||
搜索关键词: | 光学 组件 及其 制造 方法 器件 | ||
【主权项】:
一种光学组件的制造方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底上形成至少一层抗反射层;其中,形成抗反射层的步骤包括:形成带电层;在所述带电层上分散排布与所述带电层电性不同的透光材料颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的