[发明专利]衬底支撑座及应用所述衬底支撑座的半导体处理设备无效
| 申请号： | 201210226341.1 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103077917A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底支撑座和应用所述衬底支撑座的半导体处理设备。所述衬底支撑座包括：支撑基座，用于支撑一个或多个衬底；加热器，所述加热器用于加热所述支撑基座，所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调，以调节所述支撑基座的温度。本发明的衬底支撑座，通过调节加热器至少部分与所述支撑基座之间的距离达到调节所述支撑基座温度的效果，扩展了对所述支撑基座温度调节方式和/或温度调节范围。本发明的半导体处理设备具有相同的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 支撑 应用 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种衬底支撑座，其包括：支撑基座，用于支撑一个或多个衬底；加热器，所述加热器用于加热所述支撑基座，其特征在：所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调，以调节所述支撑基座的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
