[发明专利]浅沟槽隔离的形成方法及半导体结构无效
| 申请号： | 201210226403.9 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531520A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离的形成方法及半导体结构，通过在沟槽内形成硅层，减小了用以形成浅沟槽隔离的沟槽的尺寸，从而可减小后续形成的浅沟槽隔离的尺寸；同时，由于在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化硅层，该衬垫氧化硅层的深度与现有的浅沟槽隔离的厚度相当，由此，在该衬垫氧化硅层的辅助下，所述浅沟槽隔离的隔离性能将不受影响。即相当于与现有的浅沟槽隔离的尺寸相比，由于硅层的存在导致最终形成的浅沟槽隔离的体积变小了，从而实现了浅沟槽隔离能在同样的隔离性能下，进一步减小浅沟槽隔离尺寸的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；刻蚀所述硅衬底，以形成沟槽；形成衬垫氧化硅层，所述衬垫氧化硅层覆盖所述沟槽的侧壁；在所述沟槽内形成硅层；及在所述沟槽内形成浅沟槽隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
