[发明专利]光学组件及其制造方法、光伏器件无效
| 申请号： | 201210226532.8 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102842623A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 谷鋆鑫;王正佳;陈捷 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;李春晖 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种光学组件及其制造方法、光伏器件。所述光学组件包括：基底；抗反射膜，覆盖于所述基底上，所述抗反射膜包括多个位于所述基底上的纳米棒，所述纳米棒与所述基底不相接触的端面形成有台阶结构。一种光伏器件，包括：所述的光学组件，所述光学组件中的基底为透明基底；太阳能电池，位于所述透明基底未设置抗反射膜的一侧。相应地，本发明还提供一种光学组件的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个纳米棒；在所述纳米棒与所述基底不相接触的端面形成台阶结构。本发明可以提高抗反射膜的减反效果。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 组件 及其 制造 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种光学组件，其特征在于，包括：基底；抗反射膜，覆盖于所述基底上，所述抗反射膜包括多个位于所述基底上的纳米棒，所述纳米棒与所述基底不相接触的端面形成有台阶结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
