[发明专利]一种阵列基板过孔的制作方法及阵列基板制作工艺有效
申请号: | 201210226872.0 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102751241A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 封宾;白金超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;G03F7/20 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板过孔的制作方法,包括步骤预刻蚀,分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀,使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同;刻蚀,对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀,直至各个过孔连接到其金属层。本发明提供的阵列基板过孔的制作方法中各个刻蚀深度不同的区域进行分步刻蚀,步骤预刻蚀之后,各个过孔的刻蚀深度余量相同,然后经过步骤刻蚀对所有过孔进行同步刻蚀,使各个过孔同时连接到其金属层,降低刻蚀深度较浅的过孔处产生的过刻不良现象,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种阵列基板过孔的制作方法,其特征在于,包括步骤:预刻蚀,分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀,使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同;刻蚀,对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀,直至各个过孔连接到其金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造