[发明专利]用于微波晶体再生长的低温方法和设备无效
| 申请号： | 201210226968.7 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856171A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·珀特尔 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于微波晶体再生长的低温方法和设备。本发明描述半导体装置和用于制造所述装置的方法。所述半导体装置含有通过以下操作制成的外延层：提供含有具有单晶结构的上表面的半导体衬底；在所述衬底的所述上表面上形成一层，其中所述层包括大体上与所述半导体衬底相同的材料且包括非晶或多晶结构；以及使用低温微波加热所述层以将所述非晶结构改变为单晶结构。所述外延层也可通过以下操作制成：提供具有单晶材料的上表面的半导体衬底；以及随后使用微波在小于约550℃的晶片温度下在所述衬底上表面上形成外延层。可使用相同或单独的低温微波处理来激活所述外延层中的原位或植入的掺杂剂。本发明描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微波 晶体 再生 低温 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于制造外延层的方法，其包括：提供含有具有单晶结构的上表面的半导体衬底；在所述衬底的所述上表面上形成一层，其中所述层包括大体上与所述半导体衬底相同的材料且包括非晶或多晶结构；以及使用低温微波加热所述层以将所述非晶或多晶结构改变为单晶结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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