[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201210227032.6 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN102856336A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 许传进;林柏伸;张义民 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/0216;H01L33/44
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾桃园县中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光电元件,形成于该基底之中;一导电层,设置于该基底之上,其中该导电层电性连接该光电元件;一绝缘层,设置于该基底与该导电层之间;一遮光层,设置于该基底的该第二表面之上,且直接接触该导电层,其中该遮光层的遮光率大于80%,且具有露出该导电层的至少一开口;以及一导电凸块,设置于该遮光层的该开口之中以电性接触该导电层,其中该遮光层与该导电凸块共同完全覆盖该基底的该第二表面。本发明可使晶片封装体的运作更为顺利、避免漏光问题的发生及节省制程成本与时间。
搜索关键词: 晶片 封装 及其 形成 方法
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光电元件,形成于该基底之中;一导电层,设置于该基底之上,其中该导电层电性连接该光电元件;一绝缘层,设置于该基底与该导电层之间;一遮光层,设置于该基底的该第二表面之上,且直接接触该导电层,其中该遮光层的遮光率大于80%,且具有露出该导电层的至少一开口;以及一导电凸块,设置于该遮光层的该开口之中以电性接触该导电层,其中该遮光层与该导电凸块共同完全覆盖该基底的该第二表面。
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