[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效
申请号: | 201210227032.6 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102856336A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 许传进;林柏伸;张义民 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0216;H01L33/44 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光电元件,形成于该基底之中;一导电层,设置于该基底之上,其中该导电层电性连接该光电元件;一绝缘层,设置于该基底与该导电层之间;一遮光层,设置于该基底的该第二表面之上,且直接接触该导电层,其中该遮光层的遮光率大于80%,且具有露出该导电层的至少一开口;以及一导电凸块,设置于该遮光层的该开口之中以电性接触该导电层,其中该遮光层与该导电凸块共同完全覆盖该基底的该第二表面。本发明可使晶片封装体的运作更为顺利、避免漏光问题的发生及节省制程成本与时间。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光电元件,形成于该基底之中;一导电层,设置于该基底之上,其中该导电层电性连接该光电元件;一绝缘层,设置于该基底与该导电层之间;一遮光层,设置于该基底的该第二表面之上,且直接接触该导电层,其中该遮光层的遮光率大于80%,且具有露出该导电层的至少一开口;以及一导电凸块,设置于该遮光层的该开口之中以电性接触该导电层,其中该遮光层与该导电凸块共同完全覆盖该基底的该第二表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司,未经精材科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210227032.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的