[发明专利]一种制备边缘粗糙度较小的细线条的方法无效
| 申请号： | 201210228042.1 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102768956A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 黄如;李佳;黎明;张耀凯;许晓燕 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备边缘粗糙度较小的细线条的方法，其步骤包括：在衬底上淀积阻挡层和牺牲层；在牺牲层上涂光刻胶，并定义线条的光刻图形；采用干法刻蚀方法将光刻图形转移至牺牲层；淀积侧墙材料层，并采用干法刻蚀方法形成侧墙；湿法腐蚀侧墙内的牺牲层，形成侧墙掩膜层；利用侧墙掩膜层，通过干法刻蚀将线条图形转移至衬底上，得到细线条。本发明结合了侧墙技术及湿法腐蚀技术，避免了使用电子束光刻、高温氧化等工艺，可获得具有小的边缘粗糙度的细线条。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 边缘 粗糙 较小 细线 方法 | ||
【主权项】：
一种制备边缘粗糙度较小的细线条的方法，其步骤包括：1）在衬底上淀积阻挡层和牺牲层；2）在所述牺牲层上涂光刻胶，并定义线条的光刻图形；3）采用干法刻蚀方法将所述光刻图形转移至所述牺牲层；4）淀积侧墙材料层，并采用干法刻蚀方法形成侧墙；5）湿法腐蚀侧墙内的牺牲层，形成侧墙掩膜层；6）利用所述侧墙掩膜层，通过干法刻蚀将线条图形转移至衬底上，得到细线条。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
