[发明专利]低噪声CMOS集成参考电压产生电路有效
| 申请号： | 201210228115.7 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103529889A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 孙泉;乔东海;齐敏;汤亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低噪声CMOS集成参考电压产生电路。该电路包括：低噪声带隙基准源产生电路，包括一个斩波放大器，所述低噪声带隙基准源产生电路用于产生低噪声带隙基准源；正参考电压产生电路，包括一个由斩波放大器，MOS管及电阻构成的负反馈电路，所述正参考电压产生电路用于从所述带低噪声隙基准源产生正参考电压；负参考电压产生电路，包括一个由斩波放大器，MOS管，电流源及电阻构成的负反馈电路，所述负参考电压产生电路用于从所述正参考电压产生与所述正参考电压对称的负参考电压。本发明采用CMOS工艺，与主流的集成电路工艺兼容，能够有效地降低成本。并且在电路布局中采用斩波技术产生一对低噪声且对称性良好的参考电压。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 cmos 集成 参考 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种低噪声CMOS集成参考电压产生电路，其特征在于，包括：低噪声带隙基准源产生电路，包括一个斩波放大器，所述低噪声带隙基准源产生电路用于产生低噪声带隙基准源；正参考电压产生电路，包括一个由斩波放大器，MOS管及电阻构成的负反馈电路，所述正参考电压产生电路用于从所述带低噪声隙基准源产生正参考电压；负参考电压产生电路，包括一个由斩波放大器，MOS管，电流源及电阻构成的负反馈电路，所述负参考电压产生电路用于从所述正参考电压产生与所述正参考电压对称的负参考电压。
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