[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201210229018.X | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102738190A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器及其制作方法，其中，所述CMOS图像传感器制作方法包括：提供硅衬底；在所述硅衬底中形成隔离槽，使得在转移晶体管下产生垂直于沟道的张应力；形成光电二极管和复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体管以及行选通晶体管。本发明技术方案在CMOS图像传感器中设置了至少具备隔离槽和隔离膜的隔离结构，从而能够在转移晶体管下产生垂直于其沟道方向的张应力，有效的提高了NMOS的电荷迁移率，减少了残留在光敏二极管的电荷残留，缓解了成像滞后的现象。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底中形成隔离槽，使得在转移晶体管下产生垂直于沟道的张应力；形成光电二极管和复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体管以及行选通晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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