[发明专利]一种YBCO涂层导体的制备方法无效
申请号: | 201210229192.4 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN102751044A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 丁发柱;古宏伟;张腾;王洪艳;屈飞;戴少涛;邱清泉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体的制备方法。首先把乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照Y:Ba:Cu=1.2-1.5:2:3的摩尔比混合溶于10-30mol℅三氟乙酸的水溶液中;搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶;再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶;随后加入适量甲醇和松油醇,制成Y、Ba和Cu三种金属离子总浓度为1.5-3.0mol/L的溶液,搅拌均匀后再加入三种金属总离子摩尔浓度的5%-10%的乙酰丙酮铈,制备成前驱液;然后将前驱液涂覆在基片上;涂覆好的薄膜先经历300°C-500°C的低温热处理过程,分解三氟乙酸盐;最后经历750°C-850°C高温热处理和450°C-550°C的退火过程形成含有纳米氧化钇和纳米铈酸钡的YBCO超导复合膜。本发明制备的YBCO薄膜的临界电流密度到达5MA/cm2(77K,0T)。 | ||
搜索关键词: | 一种 ybco 涂层 导体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种YBCO涂层导体的制备方法,其特征在于,所述的制备方法是在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加松油醇和乙酰丙酮铈,并且使三氟乙酸钇的配比过量;通过控制金属离子的浓度,经低温热分解和高温烧结,制备含有纳米氧化钇和纳米铈酸钡的YBCO超导薄膜,利用纳米氧化钇和纳米铈酸钡两种纳米颗粒协同作用,提高YBCO薄膜的磁通钉扎作用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210229192.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种打散分级机双层组合式耐磨筛片
- 下一篇:一种特体西服