[发明专利]双光束干涉光刻方法和系统有效
| 申请号： | 201210229675.4 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102722091A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 胡进;浦东林 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双光束干涉光刻方法和系统，其方法包括：两路光束在加工工件表面实现N次干涉曝光，相邻两次曝光位置之间的错位值为dI/N，其中，N≥2，dI为曝光后的光强分布的周期，所述两路光束干涉后的光场复振幅分布为余弦函数。通过本发明的双光束干涉光刻方法，可以在光刻胶上直接制备大幅面的精密多台阶结构，加工效率高，而且所采用的元器件容易获得，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 光束 干涉 光刻 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种双光束干涉光刻方法，其特征在于，两路光束在加工工件表面实现N次干涉曝光，相邻两次曝光位置之间的错位值为dI/N，其中，N≥2，dI为曝光后的光强分布的周期，所述两路光束干涉后的光场复振幅分布为余弦函数。
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