[发明专利]氰戊菊酯分子印迹传感器及制备方法和检测方法有效
| 申请号： | 201210229803.5 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102749367A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 栾崇林 | 申请（专利权）人： | 深圳职业技术学院 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/30 |
| 代理公司： | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人： | 王昌花 |
| 地址： | 518000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及氰戊菊酯的检测方法及其分子印迹传感器和该传感器的制备方法。该检测方法包括：提供氰戊菊酯分子印迹电化学传感器及其DPV检测体系，并拟合浓度计算式；提供待测样液；检测样液峰值电流I样；计算氰戊菊酯浓度。该分子印迹传感器包括：作为基体的金电极以及在金电极表面通过电聚合方法制备的氰戊菊酯分子印迹传感器膜，该传感器膜保留了对氰戊菊酯分子识别的分子印迹空穴。该传感器的制备方法包括：预处理金电极；制备聚合液；制备聚合膜；洗脱氰戊菊酯模板分子。本发明利用电化学检测方式，免去众多复杂的前处理工作，仪器简单，成本低，可实现现场环境中氰戊菊酯的检测。本发明传感器制备过程简单，选择性好，灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 氰戊菊酯 分子 印迹 传感器 制备 方法 检测 | ||
【主权项】：
一种氰戊菊酯分子印迹传感器，包括：作为基体的金电极以及在金电极表面通过电聚合的方法制备而成的氰戊菊酯分子印迹传感器膜；该传感器膜保留了对氰戊菊酯分子识别的分子印迹空穴；所述氰戊菊酯分子印迹传感器膜是聚邻氨基苯硫酚聚合膜。
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