[发明专利]半导体检测装置、半导体检测系统及检测衬底温度的方法有效
| 申请号： | 201210229884.9 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103531495A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 马悦;宋涛;黄占超;何川;袁刚;侯俊立;奚明 | 申请（专利权）人： | 理想能源设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体检测装置，其应用于半导体处理设备中，所述半导体处理设备包括反应腔体，所述反应腔体内设置有用以支撑衬底的支撑座，所述反应腔体具有腔体部件，所述支撑座设有用以定位衬底的若干腔体。所述半导体检测装置固定于所述反应腔体的腔体部件上，从而在衬底沉膜过程中能够实现对衬底温度的及时检测。所述半导体检测装置能够获知所述衬底的位置，并能够通过运动的方式对所述衬底进行检测，从而避免了现有技术中固定式探测器难以与衬底精确定位的问题。另外，本发明还揭示了由该半导体检测装置组成的半导体检测系统及用以检测衬底温度的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 装置 系统 衬底 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体检测装置，其应用于半导体处理设备中，所述半导体处理设备包括反应腔体，所述反应腔体包括腔体部件且所述反应腔体内设置有用以支撑衬底的支撑座，所述支撑座设置有用以定位所述衬底的若干腔体，其特征在于：所述半导体检测装置固定于所述反应腔体的腔体部件上，所述半导体检测装置能够获知所述衬底的位置，并能够通过运动的方式对所述衬底进行检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
