[发明专利]PIP、PPS电容器的制作方法有效
| 申请号： | 201210230745.8 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102751176A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 胡勇;李冰寒;江红;于涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PIP电容器的制作方法，包括：在衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构上沉积第一多晶硅；刻蚀所述第一多晶硅以暴露出所述浅沟槽隔离结构的边缘；在所述第一多晶硅和所述浅沟槽隔离结构上依次沉积第一介质层、第二多晶硅和第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层、第二多晶硅和第一介质层，形成暴露出所述第一多晶硅顶部的第一接触孔，并刻蚀所述第二介质层，形成暴露出所述第二多晶硅顶部的第二接触孔；在所述上述结构表面沉积金属，形成互连线。本发明在PIP电容器制作中形成一个与PIP电容并联的电容，从而提高单位面积电容。 | ||
| 搜索关键词： | pip pps 电容器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种PIP电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构上沉积第一多晶硅，刻蚀所述第一多晶硅以暴露出所述浅沟槽隔离结构的边缘；在所述第一多晶硅和所述浅沟槽隔离结构上依次沉积第一介质层、第二多晶硅和第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层、第二多晶硅和第一介质层，形成暴露出所述第一多晶硅顶部的第一接触孔，并刻蚀所述第二介质层，形成暴露出所述第二多晶硅顶部的第二接触孔；在所述第一接触孔内、第二接触孔内和第二介质层表面沉积金属，形成互连线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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