[发明专利]具有图形化结构的铌酸锂衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201210230777.8 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102738339A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在一表面平坦的铌酸锂衬底表面制作一掩膜图形；步骤2：以掩膜图形为掩膜，采用氟基等离子体对掩膜图形及铌酸锂衬底进行同步刻蚀；步骤3：采用氧等离子体对铌酸锂衬底进行刻蚀以清除形成在铌酸锂衬底上的氟化锂颗粒；步骤4：多次重复步骤2至步骤3，直至掩膜图形全部消失；步骤5：继续采用氟基等离子体刻蚀铌酸锂衬底，在铌酸锂衬底表面形成氟化锂颗粒以形成具有图形化结构的铌酸锂衬底，图形化结构的表面具有纳米粗糙结构。本发明还提供一种具有图形化结构的铌酸锂衬底，可降低外延材料中的缺陷密度和LED的生产成本，能更有效地提高LED的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 图形 结构 铌酸锂 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，所述铌酸锂衬底用于制备LED芯片，其特征在于，所述方法包括：步骤1：提供一表面平坦的铌酸锂衬底，在所述铌酸锂衬底表面制作一掩膜图形；步骤2：以所述掩膜图形为掩膜，采用氟基等离子体对掩膜图形及所述铌酸锂衬底进行同步刻蚀；步骤3：采用氧等离子体对所述铌酸锂衬底进行刻蚀，以清除形成在所述铌酸锂衬底上的氟化锂颗粒；步骤4：多次重复步骤2至步骤3，直至所述掩膜图形全部消失；步骤5：继续采用氟基等离子体刻蚀所述铌酸锂衬底，在所述铌酸锂衬底表面形成氟化锂颗粒，以形成具有图形化结构的铌酸锂衬底，所述图形化结构的表面具有纳米粗糙结构。
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