[发明专利]互连中铜表面处理的方法在审
| 申请号： | 201210232058.X | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531530A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种互连中铜表面处理的方法，利用六氢化锗和/或四氢化锗去除氧化铜，并通过六氢化锗和/或四氢化锗等离子体形成第一密封层（锗化铜），然后再利用氨气等离子体将第一密封层氮化成密封性更好的第二密封层（氮锗化铜），由于避免铜表面处理时形成激活能较低的铜氮的化合物，从而有效的抑制了现有技术中单纯利用氨气等离子体处理铜表面形成密封层时形成的丘状凸起，进而避免了由丘状凸起导致的集成电路可靠性降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种互连中铜表面的处理方法，包括：形成具有铜互连线的互连结构；通入六氢化锗和/或四氢化锗气体，并激发形成六氢化锗和/或四氢化锗等离子体以在所述铜互连线表面形成第一密封层；利用氨气进行等离子体处理，以将至少一部分所述第一密封层氮化形成第二密封层；在所述互连结构表面形成刻蚀阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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