[发明专利]一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构有效
| 申请号： | 201210232810.0 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102881715A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 徐跃杭;兰贵林;国云川;邱义杰;延波;徐锐敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括从下往上依次层叠的衬底、位于衬底之上的氮化铝成核层、位于氮化铝成核层之上的氮化镓缓冲层，其特征在于，所述氮化镓缓冲层之上还依次层叠有用于改善器件界面粗糙程度的铟镓氮插入层、用于提高势垒的氮化铝插入层、铝镓氮隔离层，铝镓氮电子提供层，铝镓氮势垒层和分别与铝镓氮势垒层欧姆连接的源极、栅极和漏极。本发明的有益效果是：可以将二维电子气更好的束缚在势阱中，降低沟道层中杂质对二维电子气的散射，增加二维电子气的饱和速率和迁移率。提高了器件的噪声性能，特别是其高频噪声性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 噪声 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括从下往上依次层叠的衬底、位于衬底之上的氮化铝成核层、位于氮化铝成核层之上的氮化镓缓冲层，其特征在于，所述氮化镓缓冲层之上还依次层叠有用于改善器件界面粗糙程度的铟镓氮插入层、用于提高势垒的氮化铝插入层、铝镓氮隔离层，铝镓氮电子提供层，铝镓氮势垒层和分别与铝镓氮势垒层欧姆连接的源极、栅极和漏极。
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