[发明专利]在半导体衬底中形成接地硅通孔有效
| 申请号： | 201210232986.6 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102867777A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 谢棋君;吴伟诚;颜孝璁;胡宪斌;侯上勇;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成中介层的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和与正面相对的背面；形成一个或多个硅通孔(TSV)，该一个或多个硅通孔从所述前表面延伸到所述半导体衬底中；形成层间介电(ILD)层，该层间介电层覆盖半导体衬底的正面和一个或多个TSV；以及在ILD层中形成互连结构，互连结构电连接半导体衬底的一个或多个TSV。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 形成 接地 硅通孔 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一面和与所述第一面相对的第二面；形成硅通孔TSV开口，所述硅通孔开口从所述半导体衬底的所述第一面延伸到所述半导体衬底中；在所述半导体衬底的所述第一面上并沿着所述TSV开口的侧壁和底部形成衬垫层；在位于所述开口中的所述衬垫层上方沉积第一导电材料层，从而形成TSV；在所述半导体衬底的所述第一面的上方形成层间介电ILD层；形成通孔开口，所述通孔开口从所述ILD层延伸到所述半导体衬底的一部分中；在所述ILD层中形成沟道开口，从而暴露所述TSV的一部分；以及在所述通孔和所述沟道开口中沉积第二导电材料层，从而形成互连结构，所述互连结构将所述TSV与所述半导体衬底电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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