[发明专利]一种在FTO 基板表面制备Bi2Ti2O7介电陶瓷薄膜的方法

摘要

本发明提供了一种在FTO基板表面制备Bi2Ti2O7介电陶瓷薄膜的方法，包括以下步骤：1）在FTO基板上制备OTS单层膜；2）以Bi、Ti摩尔比值为1.0配制Bi2Ti2O7前驱液，加入适量冰醋酸作为稳定剂，保持溶液总浓度为0.02mol/L~0.04mol/L；3）将附着OTS单层膜的FTO基板置于前驱液中获得非晶态薄膜；4）将非晶态薄膜在560℃保温10min~60min以得到晶态Bi2Ti2O7薄膜；5）将晶化后的Bi2Ti2O7薄膜经紫外线照射40min后，重复步骤3~步骤4，制备多层膜。该方法所制备的Bi2Ti2O7薄膜表面致密、厚度均匀，且薄膜具有较高的介电常数。

主权项

一种在FTO基板表面制备Bi2Ti2O7介电陶瓷薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：基片的功能化：将FTO基片清洗干净并于紫外光下照射后于OTS和甲苯的混合溶液中沉积30s~20min以获得OTS单层膜，随后烘烤以除去表面残留溶液，再于紫外光下照射40~60min实现基片表面功能化；步骤2：前驱液的配制：首先将Bi(NO3)3·5H2O溶于乙二醇甲醚中，然后向溶液中加入Ti(OC4H9)4和柠檬酸，搅拌至澄清，加入冰醋酸作为稳定剂，保持溶液中Bi3+和Ti4+的总浓度为0.02mol/L~0.04mo l/L；其中Bi、Ti摩尔比值为1.0，柠檬酸的物质的量为Bi和Ti的物质量之和；步骤3：液相法沉积薄膜过程：将附着OTS单层膜的FTO基片置于配制好的前驱液中，在50℃~70℃下沉积10h~20h获得非晶态薄膜；步骤4：薄膜的晶化处理：将干燥后的非晶态薄膜先经紫外线照射，然后放入马弗炉，在560℃保温10min~60min以得到晶态Bi2Ti2O7薄膜。