[发明专利]一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210235883.5 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103515450B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置，其中具有电荷补偿结构，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的反向阻断特性；通过沟槽上部引入多晶半导体材料，可以降低半导体装置接反向偏压时肖特基结表面的峰值电场强度，从而进一步提高器件的反向阻断特性。本发明还提供了一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 电荷 补偿 肖特基 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上；多个沟槽结构，沟槽位于漂移层中，漂移层中临靠沟槽内壁区域设置有第二导电半导体材料，沟槽内下部填充有绝缘材料，沟槽内上部填充高浓度杂质掺杂多晶第二导电半导体材料，第二导电半导体材料与沟槽内上部填充多晶半导体材料直接相连或者具有绝缘材料层进行隔离；肖特基势垒结，位于漂移层第一导电半导体材料上表面。
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