[发明专利]在硅片上制作八边形微孔的方法无效
| 申请号： | 201210236356.6 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102745645A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 黄永光;王熙元;刘德伟;朱小宁;王宝军;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在硅片上制作八边形微孔的方法，包括如下步骤：步骤1.取一取向为(100)型的硅片；步骤2.采用脉冲激光辐照的方法，在硅片上形成微孔；步骤3.通过碱腐蚀工艺，将微孔腐蚀为八边形孔，该八边形孔的侧壁相隔出现金字塔结构和片层结构。本发明可用于对微孔孔壁有特殊要求的微流体控制、微流体力学的研究和硅基材料的电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 制作 八边形 微孔 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅片上制作八边形微孔的方法，包括如下步骤：步骤1：取一取向为(100)型的硅片；步骤2：采用脉冲激光辐照的方法，在硅片上形成微孔；步骤3：通过碱腐蚀工艺，将微孔腐蚀为八边形孔，该八边形孔的侧壁相隔出现金字塔结构和片层结构。
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