[发明专利]隔离型N型LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种隔离型N型LDMOS器件，包括：SOI衬底，包括底层硅、埋氧化层和顶层硅；沟道区形成于顶层硅中，沟道区的底部和底层硅通过埋氧化层隔离；漂移区形成于顶层硅和埋氧化层去除后形成的硅外延层中，漂移区的底部和底层硅相接触。本发明还公开了一种隔离型N型LDMOS器件的制造方法。本发明能彻底消除沟道区与P型衬底之间的穿通问题，能减少N型漂移区的结深、提高N型漂移区的掺杂浓度以及降低器件的导通电阻，还能减小器件的尺寸和寄生电容、提高器件开关速度，并能防止热聚集现象。

主权项

一种隔离型N型LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一SOI衬底，所述SOI衬底由底层硅、埋氧化层和顶层硅组成，所述埋氧化层形成于所述底层硅上、所述顶层硅形成于所述埋氧化层上，所述底层硅为P型掺杂；步骤二、在所述顶层硅上形成硬质掩模，该硬质掩模由依次形成于所述顶层硅上的二氧化硅层和氮化硅层组成；步骤三、利用光刻工艺定义出区域一，区域一的外部为区域二，所述区域一小于等于形成N型漂移区的区域，所述区域二大于等于形成沟道区的区域；采用刻蚀工艺依次去除所述区域一的所述硬质掩模、所述顶层硅和所述埋氧化层，直至所述底层硅表面露出，所述区域二中的所述顶层硅和所述埋氧化层保留；步骤四、采用选择性外延工艺方法在所述区域一中形成硅外延层；在所述区域二中的形成沟道区的区域的所述顶层硅中掺入P型杂质形成隔离型N型LDMOS器件的沟道区，所述沟道区的底部和所述埋氧化层接触并通过所述埋氧化层和所述底层硅相隔离；步骤五、去除所述硬质掩模，在所述区域一中的所述硅外延层中形成N型阱，该N型阱还横向延伸到所述区域二中的所述顶层硅中并和所述沟道区横向接触；所述N型阱组成所述隔离型N型LDMOS器件的N型漂移区；所述N型漂移区的底部和所述底层硅相接触。