[发明专利]一种二氧化钛基导电薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210236458.8 申请日: 2012-07-10
公开(公告)号: CN102732879A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 宋晨路;王菊;刘涌;韩高荣;杨振辉;王慷慨;苏婷 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C23C26/00 分类号: C23C26/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 韩介梅
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种二氧化钛基导电薄膜的制备方法,该方法通过用溶胶—凝胶法在基板上镀膜,然后对薄膜进行高真空下的热处理导致薄膜前驱体中的有机物部分或完全碳化,使制备的二氧化钛基薄膜具有好的电学性质,其电阻率可以达到10-3Ω·cm数量级。本发明制备工艺简单,不需要任何昂贵的设备,成本低,可在任意形状的基板上涂膜,适合于大面积工业化生产。
搜索关键词: 一种 氧化 导电 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种二氧化钛基导电薄膜的制备方法,包括如下的步骤:1) 将基板清洗干净;2)将钛酸四丁酯和乙酰丙酮放入乙醇中,搅拌混合,得到A溶液;将乙酸和水放入乙醇中,搅拌混合,得到B溶液;上述钛酸四丁酯:水:乙酰丙酮:乙酸的摩尔比为1:6:0.3:0.2;3)将步骤2)中的B溶液逐滴加入A溶液中,搅拌混合均匀,配置浓度为0.01M~0.5M溶胶;4) 将步骤3)中得到的溶胶在室温下陈化22h以上,得到凝胶;5) 利用旋涂仪将凝胶旋涂在步骤1)的基板上,干燥,挥发除去乙醇,得到干膜;6) 将步骤5)得到的干膜进行热处理,热处理温度≥400℃,真空度不低于10‑3Pa,保温时间为30 min~120min。
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