[发明专利]一种含In4Sn3O12相ITO溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201210236499.7 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102718499A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 马晓波;王东新;孙本双;钟景明;李彬;岳坤;左婧懿;白晓东;郑金凤;赵世乾;张丽;刘彤;刘兆刚;刘创红 | 申请（专利权）人： | 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/01;C04B35/634 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人： | 赵明辉 |
| 地址： | 753000 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以氧化铟-氧化锡混合粉为原料的高世代液晶面板用ITO溅射靶的制造方法，尤其是一种含In4Sn3O12相ITO溅射靶的制造方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将经过热处理的氧化铟与氧化锡粉末混合；(2)加入去离子水和分散剂，调成浆料后进行球磨、混料；(3)加入粘结剂和保湿剂湿式球磨；(4)加入消泡剂搅拌后真空脱泡，静置后调节；(5)然后将浆料浇注成型；(6)将成型体干燥后脱脂；(7)脱脂后的成型体进行烧结制得ITO溅射靶。本发明制备的靶材内In4Sn3O12相分布在In2O3三晶粒的交汇处，该相的存在一定程度上提高了ITO靶材的密度和表面粗糙度可有效降低ITO靶材的溅射结瘤行为。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 in sub sn 12 ito 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种含In4Sn3O12相ITO溅射靶的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将经过热处理的氧化铟与氧化锡粉末混合得到混合物；(2)在混合物中加入去离子水和分散剂，调成浆料后进行球磨、混料；(3)然后再加入粘结剂和保湿剂湿式球磨；(4)然后再加入消泡剂搅拌后真空脱泡，静置后调节浆料的PH值至8.5及以上；(5)然后将浆料浇注成型；(6)将成型体干燥后脱脂；(7)对脱脂后的成型体进行烧结制得ITO溅射靶。
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