[发明专利]一种多晶硅生产工艺及用于该工艺的生产系统有效
| 申请号： | 201210236855.5 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102745694A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;郭金强;郝爱科;张文奎;朱涛;邢仕益 | 申请（专利权）人： | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 谢亮;赵德兰 |
| 地址： | 015543 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅生产工艺及用于该工艺的生产系统。包括将浓度99.99%以上的精三氯氢硅与氢气按氢气：精三氯氢硅摩尔比为4~3：1的比例混合作为混合气进料通入CVD还原炉，混合气进料依次通过鼓泡式汽化器、出入器换热器、串联的CVD还原炉主炉和CVD还原炉辅炉；经过CVD还原炉辅炉排出的终极尾气换热后进入CVD还原炉主炉，在CVD还原炉主炉内硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为中间尾气；中间尾气再混合补充的精三氯氢硅气体后接着进入CVD还原炉辅炉，在CVD还原炉辅炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为终极尾气；终极尾气出炉后与混合气进料换热后再进入还原尾气回收系统。该工艺及生产系统可高效率、低成本地生产高质量的电子级多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产工艺 用于 工艺 生产 系统 | ||
【主权项】：
一种多晶硅生产工艺，包括将精三氯氢硅与氢气按比例混合作为混合气进料通入CVD还原炉，其特征在于：包括如下步骤，混合气进料依次通过鼓泡式汽化器、出入器换热器、串联的CVD还原炉主炉和CVD还原炉辅炉；经过CVD还原炉辅炉排出的终极尾气换热后进入CVD还原炉主炉，在CVD还原炉主炉内硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为中间尾气；中间尾气再混合补充的精三氯氢硅气体后接着进入CVD还原炉辅炉，在CVD还原炉辅炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为终极尾气；终极尾气出炉后与混合气进料换热后再进入还原尾气回收系统。
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