[发明专利]控制沟道厚度的FinFET设计有效
| 申请号： | 201210237611.9 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102983165A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 吴志强;后藤贤一;谢文兴;何炯煦;王志庆;黄靖方 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于控制沟道厚度和阻止因小部件而产生变化的系统与方法。一种实施例包括在衬底上形成凸起的鳍状件和在所述鳍状件上方形成覆盖层。所述沟道载流子被重掺杂的鳍状件排斥，但是限制在所述覆盖层内。这形成允许对栅极更大静电控制的薄沟道。本发明还公开了一种控制沟道厚度的FinFET设计。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 沟道 厚度 finfet 设计 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上凸起的鳍状件；所述鳍状件包括：内部部分，具有第一带隙和第一晶体取向；以及外部部分，在所述内部部分的顶面和侧壁上，所述外部部分具有第二带隙和第二晶体取向，所述第二带隙小于或等于所述第一带隙。
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