[发明专利]一种高温超导Josephson双晶结的制备方法无效
申请号: | 201210238011.4 | 申请日: | 2012-07-11 |
公开(公告)号: | CN102738381A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 许伟伟;花涛;安德越;陈健;吴培亨 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L39/24 | 分类号: | H01L39/24 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 邱兴天 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高温超导Josephson双晶结的制备方法,采用酸法刻蚀和离子刻蚀相结合,进行高温超导Josephson双晶结的微桥刻蚀,既解决了由于薄膜过厚,单纯用酸刻工艺时侧向腐蚀严重的问题,又避免了单纯用离子刻蚀工艺时长时间温度过高的问题。同时,在刻蚀后利用离子刻蚀工艺再对薄膜进行适当的减薄处理,使微桥晶界处的弱连接性能进一步增强,保证了结的良好超导Josephson效应,增强了结的非线性。采用四端子法在液氮条件下测量了TlBaCaCuO双晶结的电流电压关系曲线,在60K时,临界电流Ic约为200µA;加上210G的微波辐照后,有明显的Shapiro台阶出现;进行了210G的混频实验,得到了14次谐波混频中频输出,具有良好的应用开发前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 高温 超导 josephson 双晶 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高温超导Josephson双晶结的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)采取先做先驱膜再进行后处理的方式,在双晶基底片上制备超导薄膜;(2)采用真空热蒸发镀银的方法,在超导薄膜上蒸镀银膜电极;(3)在蒸好银的薄膜上制备出掩膜图形:在超导薄膜上甩上一层AZ正性光刻胶,曝光、显影后得到微桥图形;(4)将光刻显影好的掩膜图形样品,放入稀磷酸中刻蚀薄膜;(5)采用脉冲式刻蚀对磷酸刻蚀后的样品进行离子刻蚀;(6)用丙酮去除光刻胶;(7)采用脉冲式刻蚀对没有光刻胶保护的超导薄膜进行离子减薄刻蚀。
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