[发明专利]具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法有效
| 申请号： | 201210238276.4 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545163B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法，包括：将半导体结构置于等离子体处理腔室内，通入第一气体，其包括轰击气体，使第一气体产生第一等离子体，利用第一等离子体对半导体结构进行脱氟处理或脱氯处理；通入第二气体，使其产生第二等离子体，利用第二等离子体对半导体结构进行表面钝化处理。通过脱氟处理或脱氯处理，防止氟残留或氯残留与半导体结构中的相应层发生反应，阻止半导体结构受到腐蚀。考虑到进行脱氟处理或脱氯处理之后半导体结构中可能会存在少量氯残留或氟残留，可对半导体结构进行表面钝化处理以在半导体结构表面形成钝化层，防止具有氟残留或氯残留的半导体结构与水分接触，进而避免了在半导体结构中形成晶体缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 残留 半导体 结构 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：将半导体结构置于等离子体处理腔室内，向等离子体处理腔室中通入第一气体，所述第一气体包括轰击气体，使所述第一气体产生第一等离子体，利用所述第一等离子体对半导体结构进行脱氟处理或脱氯处理，其中，所述轰击气体不能与氟残留或氯残留发生反应，当所述轰击气体被等离子体化后，产生的等离子体可对氯残留及氟残留进行物理轰击，以将氯残留及氟残留去除；进行所述脱氟处理或脱氯处理之后，向等离子体处理腔室中通入第二气体，使所述第二气体产生第二等离子体，利用所述第二等离子体对半导体结构进行表面钝化处理。
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