[发明专利]用于具有高k金属栅极的NFET的结构和方法有效
| 申请号： | 201210238742.9 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103378136B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣;黄仁安;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开内容提供了一种集成电路。集成电路包括：半导体衬底；n‑型场效应晶体管(nFET)，形成在半导体衬底上方并且具有包括高k介电层、位于高k介电层上方的保护层、位于保护层上方的p功函金属以及位于p功函金属上方的多晶硅层的第一栅叠层；以及p‑型场效应晶体管(pFET)，形成在半导体衬底上方并且具有包括高k介电层、位于高k介电层上方的p功函金属以及位于p功函金属上方的金属材料的第二栅叠层。本发明还提供了用于具有高k金属栅极的NFET的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 金属 栅极 nfet 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：半导体衬底；n型场效应晶体管(nFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括高k介电层、位于所述高k介电层上的保护层、位于所述保护层上的p功函金属和位于所述p功函金属上的多晶硅层的第一栅叠层；以及p型场效应晶体管(pFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的金属材料的第二栅叠层；伪栅极，形成在所述半导体衬底上并且具有所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述保护层、位于所述保护层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的所述多晶硅部件。
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