[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210239365.0 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102881680A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 松木浩久;作间正雄 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。半导体器件(半导体模块)包括电路板(模块板)和安装在电路板上的半导体元件。阻挡电磁波的屏蔽层设置在半导体元件的上表面上，并且天线元件设置在屏蔽层的上方。半导体元件和天线元件通过连接部分电连接到彼此。此结构使得半导体器件减小尺寸，并具有电磁波阻挡功能和天线功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：电路板；半导体元件，其安装在所述电路板上；屏蔽层，其设置在所述半导体元件的上表面上；天线元件，其设置在所述屏蔽层的上方；以及连接部分，其经过所述屏蔽层，并电连接所述半导体元件和所述天线元件。
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