[发明专利]用于静电保护的高压NLDMOS结构有效
| 申请号： | 201210240391.5 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103545365A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;苗彬彬;王邦磷;邓樟鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于静电保护的高压NLDMOS结构，包括一N型LDMOS，形成于一硅衬底上方的N型埋层内；N型LDMOS排列成多指状结构；位于两个漏区之间的源区为共源区；所述漏区的有源区内由N型有源区与P型有源区沿长度方向相间排布；所述共源区内插入P型有源区，P型有源区嵌入在N型有源区内，P型有源区将源区内的N型有源区分别隔开；P型有源区与N型有源区沿长度方向相间排布；所有的漏极共连接ESD进入端，所有的源极共连接地，所有的栅极共连接信号端。本发明通过改变源区上靠近栅极的P+扩散区的宽度，能够有效调整触发电流和骤回电压。本发明用于高压静电保护，既可以有效地提高LDMOS的抗闩锁能力，又能够保证其静电防护能力不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 保护 高压 nldmos 结构 | ||
【主权项】：
一种用于静电保护的高压NLDMOS结构，其特征在于：包括一N型LDMOS，形成于一硅衬底上方的N型埋层内；N型LDMOS排列成多指状结构；位于两个漏区之间的源区为共源区；所述漏区的有源区内由N型有源区与P型有源区沿长度方向相间排布；所述共源区内插入P型有源区，P型有源区嵌入在N型有源区内，P型有源区将源区内的N型有源区分别隔开；P型有源区与N型有源区沿长度方向相间排布；所有的漏极共连接ESD进入端，所有的源极共连接地，所有的栅极共连接信号端。
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