[发明专利]半导体外延薄膜生长方法及用其制半导体发光器件的方法无效
| 申请号： | 201210241696.8 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881792A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 孟钟先;金范埈;柳贤锡;李正贤;金起成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体外延薄膜生长方法以及用其制造半导体发光器件的方法。该半导体外延薄膜生长方法包括：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 薄膜 生长 方法 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体外延薄膜生长方法，该方法包括步骤：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
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