[发明专利]一种沟槽肖特基MOS半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210242396.1 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531628A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提出一种沟槽肖特基MOS半导体装，将肖特基势垒结代替传统MOS器件的源区和体区，通过栅极偏压在漂移区形成高浓度的载流子区域，形成器件的沟道；同时本发明将电荷补偿结构引入到沟槽肖特基MOS结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 mos 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中，沟槽内壁有绝缘层，沟槽内填充有多晶半导体材料或金属作为栅电极；肖特基势垒结，位于沟槽之间的漂移层表面；沟道区，为漂移层中临靠沟槽侧壁和肖特基势垒结的第一传导类型的半导体材料。
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