[发明专利]低压电流镜

摘要

本发明公开了一种低压电流镜，是针对现有的共源共栅电流镜的电压余度浪费了一个阈值电压，造成的降低输出电压摆幅的问题而提出的，包括：输入电流源，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管。本发明的低压电流镜采用共源共栅输出结构，输出电阻很大，使得输出电流受负载的影响较小，从而电流镜的镜像精度很高；同时该结构合理利用沟道长度调制效应，相对于共源共栅电流镜结构，降低了一个阈值电压的余度，增大了输出电压摆幅。

主权项

一种低压电流镜，具体包括：输入电流源，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，其中，所述输入电流源，跨接在第一PMOS管的漏极和地电位之间；所述第一PMOS管的源极和衬底接外部电源电压，栅极和漏极短接，并接至第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极；所述第二PMOS管的源极和衬底接外部电源电压，漏极接第一NMOS管漏极；所述第三PMOS管的源极和衬底接外部电源电压，漏极接第三NMOS管的漏极。所述第一NMOS管的栅漏短接，并接第二NOMS管的栅极、第四NOMS管的栅极，源极和衬底接地；所述第二NMOS管的漏极接第三NMOS管的源极，源极和衬底接地；所述第三NMOS管的栅极和漏极短接，并接第五NMOS管的栅极，衬底接地；所述第四NMOS管漏极接第五NMOS管的源极，源极和衬底接地；所述第五NMOS管的衬底接地，漏极作为所述低压电流镜的输出端。