[发明专利]一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在衬底片上制备埋层，生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形成发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区，制备NMOS和PMOS器件有源区；制备虚栅极，分别进行NMOS和PMOS器件轻掺杂源漏结构（LDD）注入，制备侧墙，自对准形成NMOS和PMOS器件源漏；刻蚀虚栅，淀积SiON栅介质层和W-TiN复合栅，形成CMOS结构，最终构成SiGe HBT、双应变平面BiCMOS集成器件及电路；该方法充分利用电子迁移率高的张应变Si和空穴迁移率高的压应变SiGe分别作为NMOS和PMOS器件的导电沟道，有效地提高了BiCMOS集成电路的性能。

主权项

一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件，其特征在于，采用应变Si平面沟道NMOS器件、应变SiGe平面沟道PMOS器件及双多晶SiGe HBT器件。