[发明专利]大面积纳米结构阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201210243831.2 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103540985A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王坚;何增华;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大面积纳米结构阵列的制备方法，包括如下步骤：提供一导电基体；在所述导电基体上沉积一金属薄膜层，其中所述金属薄膜层被划分成多个区域；测量所述金属薄膜层上多个区域的厚度及所述多个区域的厚度与电化学氧化时间之间的一一对应关系；润湿所述金属薄膜层的表面并对所述表面进行第一氧化处理；对所述金属薄膜层进行第二氧化处理，并根据所述金属薄膜层上多个区域的厚度与电化学氧化时间之间一一对应关系控制所述金属薄膜层上的所述多个区域的氧化时间。本发明通过测量所述金属薄膜层上多个区域的厚度及所述多个区域的厚度与电化学氧化时间之间的一一对应关系，来控制所述金属薄膜层上多个区域的氧化时间，使所述金属薄膜层上每个区域的氧化都得到精确地控制，因而可以在大尺寸的导电基体上形成高度有序的大面积纳米结构阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积纳米结构阵列的制备方法，包括如下步骤：（1）提供一导电基体；（2）在所述导电基体上沉积一金属薄膜层，其中所述金属薄膜层被划分成多个区域；（3）测量所述金属薄膜层上多个区域的厚度及所述多个区域的厚度与电化学氧化时间之间的一一对应关系；（4）润湿所述金属薄膜层的表面并对所述表面进行第一氧化处理；（5）对所述金属薄膜层进行第二氧化处理，并根据所述金属薄膜层上多个区域的厚度与电化学氧化时间之间一一对应关系控制所述金属薄膜层上的所述多个区域的氧化时间。
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