[发明专利]一种采用伪栅极制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210243837.X | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103545185A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用伪栅极制造半导体器件的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的衬底上形成第一伪栅极，在所述第二区域的衬底上形成第二伪栅极，所述第一伪栅极和第二伪栅极包括依次堆栈的栅极介电层、覆盖层和多晶硅层；在所述衬底中形成源漏极；在所述第二伪栅极的顶部形成阻挡层；采用湿法蚀刻去除所述第一伪栅极的多晶硅层以形成沟槽；填充所述沟槽形成金属栅极。本发明可以在半导体的制造过程中对多晶硅的伪栅极的相应部分进行高度选择性的去除，从而可以避免对器件造成损伤，从而提高所制造的半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 栅极 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种采用伪栅极制造半导体器件的方法，包括步骤：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；b)在所述第一区域的衬底上形成第一伪栅极，在所述第二区域的衬底上形成第二伪栅极，所述第一伪栅极和第二伪栅极包括依次堆栈的栅极介电层、覆盖层和多晶硅层；c)在所述衬底中形成源漏极；d)在所述第二伪栅极的顶部形成阻挡层；e)采用湿法蚀刻去除所述第一伪栅极的多晶硅层以形成沟槽；f)填充所述沟槽形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
