[发明专利]一种提高功率集成电路无源器件性能的结构无效
| 申请号： | 201210244008.3 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102820286A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/50;H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，功率集成电路芯片中设置一金属板，将无源器件与有源器件隔离，无源器件堆叠在衬底上，减小了集成电路的面积。用来做无源器件的一层不需要复杂的走线，因此可以增加金属的厚度，减小器件的损耗。大的金属板能够将电场隔离，无源器件和有源器件之间没有任何的影响。没有电磁场能够进入衬底，衬底通常是有损的，因此能够减低能量的损耗，提高无源器件的性能。在功率芯片上面通过堆叠提高了芯片的厚度，可以减薄硅片的厚度，而不会弯曲，大大提高芯片的散热能力。源端直接跟大的金属板相连，不需要依靠衬底作为导电层，可以减小衬底的掺杂浓度，提高了无源器件和有源器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 功率 集成电路 无源 器件 性能 结构 | ||
【主权项】：
一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，其特征是，功率集成电路芯片中无源器件与有源器件之间设置一将无源器件与有源器件隔离的金属板，所述无源器件堆叠在所述金属板上。
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