[发明专利]一种高密度亚微米高压BCD半导体器件及其工艺方法无效
| 申请号： | 201210244066.6 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102723329A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;邵凯;陈雪萌;杨海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高密度亚微米的超高压BCD半导体工艺集成的器件，该高压BCD工艺实现的集成器件可包括：超高压LDMOS、中压NLDMOS、中压FDPMOS、高压JFET、低压NMOS、低压PMOS、齐纳二极管、多晶电阻、PIP电容、双极晶体管NPN管以及双极晶体管PNP管，所述高密度亚微米高压BCD半导体器件直接做在P型衬底上，所述超高压LDMOS的源极和栅极沿漏极中心对称。本发明还提供了一种制造高密度亚微米高压BCD半导体器件的工艺方法。本发明提供的高密度亚微米高压BCD半导体工艺不仅可提高高压器件的面积效率，同时可集成亚微米的低压器件，是一种高性能、低成本的高压集成芯片制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 微米 高压 bcd 半导体器件 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，器件包括：超高压LDMOS（1）、中压NLDMOS（2）、中压FDPMOS（3）、高压JFET（4）、低压NMOS（5）、低压PMOS（6）、齐纳二极管（7）、多晶电阻（8）、PIP电容（9）、双极晶体管NPN管（10）以及双极晶体管PNP管（11），所述高密度亚微米高压BCD半导体器件直接做在P型衬底（101）上，所述超高压LDMOS（1）的源极和栅极沿漏极中心对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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