[发明专利]陶瓷电子元器件的制造方法及陶瓷电子元器件有效
| 申请号： | 201210244092.9 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102751093A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 水野辰哉;河野上正晴;桥本大喜;上田充 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/008;H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可防止安装时的锡焊工序中因熔剂被吸入陶瓷主体的细孔而导致的自对准性和产品特性的劣化的陶瓷电子元器件的制造方法、以及可通过该方法制造的可靠性高的陶瓷电子元器件。使用包含多氟聚醚化合物作为主要成分且包含氢氟醚作为溶剂的拒油处理剂对陶瓷主体(5)实施拒油处理，使得熔剂不会被陶瓷主体(5)吸收。在对陶瓷主体实施拒油处理的工序后紧接着设置除去过量的拒油处理剂的拒油处理剂除去工序。在拒油处理剂除去工序后设置用氢氟醚清洗陶瓷主体的清洗工序。在拒油处理剂除去工序和清洗工序之间设置对陶瓷主体进行加热处理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子元器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷电子元器件，该陶瓷电子元器件是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的外部电极的陶瓷电子元器件，其特征在于，从构成所述陶瓷主体的陶瓷表面至少检出F、Si、N，并且所述各元素相对于所述陶瓷表面的原子浓度比满足下述条件：2≤(F/陶瓷主体)≤12、0.1≤(Si/陶瓷主体)≤1.0、0.1≤(N/陶瓷主体)≤1.3。
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