[发明专利]一种混合晶面双应变硅基CMOS集成器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210244169.2 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102751291A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张鹤鸣;李妤晨;宋建军;胡辉勇;宣荣喜;王斌;王海栋;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了混合晶面双应变硅基CMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备一片SOI衬底，上层基体材料为（110）晶面，下层基体材料为（100）晶面；在600～800℃，在NMOS区域刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（100）的应变Si外延层，在该外延层上制备应变Si沟道NMOS；在除NMOS有源区外的区域，选择性生长晶面为（110）的应变SiGe外延层，在该外延层上制备沟道的压应变SiGe沟道PMOS；光刻引线，构成导电沟道为22～45nm的混合晶面CMOS集成电路。本发明充分了利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料电子迁移率高于体Si材料以及迁移率各向异性的特点，基于SOI衬底，制备出了性能增强的混合晶面双应变Si基CMOS集成器件及电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 晶面双 应变 cmos 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种混合晶面双应变硅基CMOS集成器件，其特征在于，所述器件衬底为SOI材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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