[发明专利]一种双多晶双应变混合晶面Si基BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了双多晶双应变混合晶面Si基BiCMOS集成器件及制备方法，首先制备SOI衬底，上层基体材料为（110）晶面，下层基体材料为（100）晶面；生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe/i-Si/i-Poly-Si，制备发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；制备深槽隔离；在PMOS器件区域，选择性生长晶面为（110）的PMOS器件有源区，制备压应变Si垂直沟道PMOS器件；在NMOS器件区域刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（100）的NMOS器件有源区，制备应变Si沟道NMOS器件；制成Si基BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变Si材料空穴迁移率高于体Si材料以及迁移率各向异性的特点，制备出了性能增强的双多晶、双应变混合晶面Si基BiCMOS集成电路。

主权项

一种双多晶双应变混合晶面Si基BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件和PMOS器件均为应变Si MOS器件，双极器件为双多晶SiGe HBT。