[发明专利]一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区，形成SiGe HBT器件；在NMOS器件区域刻蚀深槽，选择性生长晶面为（100）的应变Si外延层，制备应变Si沟道NMOS器件；在PMOS器件有源区，选择性生长晶面为（110）的应变SiGe外延层，制备SiGe沟道PMOS器件；构成混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用张应变Si材料空穴迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料电子迁移率高于体Si材料的特点，基于SOI衬底，制备出性能增强的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成电路。

主权项

一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变SiGe平面沟道，双极器件基区为SiGe材料。