[发明专利]一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210244462.9 申请日: 2012-07-16
公开(公告)号: CN102820305A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 张鹤鸣;李妤晨;胡辉勇;宋建军;宣荣喜;王斌;王海栋;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710065 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件及制备方法,其过程为:制备一片SOI衬底,上层基体材料为(100)晶面,下层基体材料为(110)晶面;在600~800℃,在PMOS有源区刻蚀出深槽,选择性生长晶面为(110)的多层结构的应变Si PMOS有源层,在该有源层上制备垂直沟道的压应变PMOS;在NMOS有源区刻蚀出深槽,选择性生长晶面为(100)的多层结构的应变SiNMOS有源层,在该外延层上制备平面沟道的张应变NMOS,构成导电沟道为22~45nm的应变Si混合晶面CMOS集成电路;本发明充分利用应变Si材料迁移率高于体Si材料和应变Si材料应力与迁移率各向异性的特点,基于SOI衬底,制备出了性能优异的应变Si混合晶面CMOS集成器件及电路。
搜索关键词: 一种 混合 应变 si 垂直 沟道 cmos 集成 器件 制备 方法
【主权项】:
一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件,其特征在于,器件衬底为SOI材料。
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