[发明专利]一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件及制备方法有效
申请号: | 201210244462.9 | 申请日: | 2012-07-16 |
公开(公告)号: | CN102820305A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 张鹤鸣;李妤晨;胡辉勇;宋建军;宣荣喜;王斌;王海栋;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710065 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件及制备方法,其过程为:制备一片SOI衬底,上层基体材料为(100)晶面,下层基体材料为(110)晶面;在600~800℃,在PMOS有源区刻蚀出深槽,选择性生长晶面为(110)的多层结构的应变Si PMOS有源层,在该有源层上制备垂直沟道的压应变PMOS;在NMOS有源区刻蚀出深槽,选择性生长晶面为(100)的多层结构的应变SiNMOS有源层,在该外延层上制备平面沟道的张应变NMOS,构成导电沟道为22~45nm的应变Si混合晶面CMOS集成电路;本发明充分利用应变Si材料迁移率高于体Si材料和应变Si材料应力与迁移率各向异性的特点,基于SOI衬底,制备出了性能优异的应变Si混合晶面CMOS集成器件及电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 混合 应变 si 垂直 沟道 cmos 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件,其特征在于,器件衬底为SOI材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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