[发明专利]铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法无效
| 申请号： | 201210244572.5 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102901713A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 洪振燮;朴庆浩;李期范 | 申请（专利权）人： | 株式会社东进世美肯 |
| 主分类号： | G01N21/35 | 分类号： | G01N21/35 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 韩国仁*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。本发明提供的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括：(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 工序 控制 方法 组合 再生 | ||
【主权项】：
一种利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括：(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。
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