[发明专利]一种ZnS1-xSex半导体薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210245122.8 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102808174A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;刘军;魏爱香;庄米雪 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnS1-xSex半导体薄膜的制备方法，采用化学水浴沉积法，以硫酸锌作为Zn2+源，以硫脲作为S2-源，以硒代硫酸钠溶液作为Se2-源，以氨水作为缓冲剂，以水合肼作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，在衬底上制备粒径分布均匀、致密且附着力较好的ZnS1-xSex薄膜材料；所得到的ZnS1-xSex薄膜材料具有带隙宽度可调的优点，可应用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池、激光器、发光二极管等光电子器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zns sub se 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnS1‑xSex半导体薄膜的制备方法，其特征在于：采用化学水浴沉积法，以硫酸锌作为Zn2+源，以硫脲作为S2‑源，以硒代硫酸钠溶液作为Se2‑源，以氨水作为缓冲剂，以水合肼作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，把清洗干净的衬底沿着烧杯壁竖直浸入溶液中，用铝箔把烧杯口密封后，放入水浴锅中进行恒温反应，制备得到了ZnS1‑xSex半导体薄膜层。
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