[发明专利]光刻对焦参数测试方法及系统有效
| 申请号： | 201210245746.X | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103545174A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光刻对焦参数测试方法，包括：将测试晶圆表面划分为多个测试区域；为每个测试区域i分配预测试的对焦参数Fpi；根据所述测试区域i的高度Hi将所述预测试的对焦参数Fpi进行修正得到实际用于测试的对焦参数Fi；根据所述实际用于测试的对焦参数Fi对每个测试区域i进行光刻成像。还公开一种使用上述测试方法的测试系统。上述方法对预测试的对焦参数进行校正，使得测试结果更加准确。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对焦 参数 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种光刻对焦参数测试方法，其特征在于，包括：将测试晶圆表面划分为多个测试区域；为每个测试区域i分配预测试的对焦参数Fpi；根据所述测试区域i的高度Hi将所述预测试的对焦参数Fpi进行修正得到实际用于测试的对焦参数Fi；根据所述实际用于测试的对焦参数Fi对每个测试区域i进行光刻成像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
